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BAS116LT1G

BAS116LT1G

僅供參考

型號 BAS116LT1G
PNEDA編號 BAS116LT1G
描述 DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 719,892
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS116LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS116LT1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BAS116LT1G, BAS116LT1G數據表 (總頁數: 4, 大小: 77.6 KB)
PDFBAS116LT1數據表 封面
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BAS116LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)75V
電流-平均整流(Io)200mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 150mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)3µs
當前-反向泄漏@ Vr5nA @ 75V
電容@ Vr,F2pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

7pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

3ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

10ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 25V

電容@ Vr,F

17pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.3V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

75mA @ 2600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

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