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BAS116T,115

BAS116T,115

僅供參考

型號 BAS116T,115
PNEDA編號 BAS116T-115
描述 DIODE GEN PURP 75V 215MA SC75
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,878
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS116T資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS116T,115
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BAS116T, BAS116T數據表 (總頁數: 11, 大小: 242.32 KB)
PDFBAS116T數據表 封面
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BAS116T規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)75V
電流-平均整流(Io)215mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 150mA
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)3µs
當前-反向泄漏@ Vr5nA @ 75V
電容@ Vr,F2pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝SC-75
工作溫度-結點150°C (Max)

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720mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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600V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 16A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 60V

電容@ Vr,F

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