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BAS16-E3-18

BAS16-E3-18

僅供參考

型號 BAS16-E3-18
PNEDA編號 BAS16-E3-18
描述 DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,146
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS16-E3-18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS16-E3-18
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BAS16-E3-18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)75V
電流-平均整流(Io)150mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 150mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)6ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 75V
電容@ Vr,F4pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

40ns

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 300V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 15A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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