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BAS16DXV6T1

BAS16DXV6T1

僅供參考

型號 BAS16DXV6T1
PNEDA編號 BAS16DXV6T1
描述 DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS16DXV6T1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS16DXV6T1
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
BAS16DXV6T1, BAS16DXV6T1數據表 (總頁數: 6, 大小: 64.97 KB)
PDFBAS16DXV6T5G數據表 封面
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BAS16DXV6T1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管配置2 Independent
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)75V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)200mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 150mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)6ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 75V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

890mV @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 150V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

440A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

工作溫度-結點

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

120V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

700µA @ 120V

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 150V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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