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BAS16WE6327HTSA1

BAS16WE6327HTSA1

僅供參考

型號 BAS16WE6327HTSA1
PNEDA編號 BAS16WE6327HTSA1
描述 DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,904
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS16WE6327HTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS16WE6327HTSA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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BAS16WE6327HTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)250mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 150mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 75V
電容@ Vr,F2pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝PG-SOT323-3
工作溫度-結點150°C (Max)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

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3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

930mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

6.6pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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1000V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

150pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

200pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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