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BAS16WS-HE3-08

BAS16WS-HE3-08

僅供參考

型號 BAS16WS-HE3-08
PNEDA編號 BAS16WS-HE3-08
描述 DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 100,884
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS16WS-HE3-08資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS16WS-HE3-08
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BAS16WS-HE3-08, BAS16WS-HE3-08數據表 (總頁數: 4, 大小: 83.35 KB)
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BAS16WS-HE3-08規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)75V
電流-平均整流(Io)250mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 150mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)6ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 75V
電容@ Vr,F2pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-76, SOD-323
供應商設備包裝SOD-323
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-220-2 Full Pack

工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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二極管類型

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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制造商

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電流-平均整流(Io)

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1200V

電容@ Vr,F

7pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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