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BAS20-E3-08

BAS20-E3-08

僅供參考

型號 BAS20-E3-08
PNEDA編號 BAS20-E3-08
描述 DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS20-E3-08資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS20-E3-08
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BAS20-E3-08規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 200mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 150V
電容@ Vr,F5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.33V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

310ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1500V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

170ns

當前-反向泄漏@ Vr

7µA @ 1500V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 500mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 400V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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SOD-80

工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101, Superectifier®

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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