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BAS20HT1G

BAS20HT1G

僅供參考

型號 BAS20HT1G
PNEDA編號 BAS20HT1G
描述 DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 281,274
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS20HT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS20HT1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BAS20HT1G, BAS20HT1G數據表 (總頁數: 3, 大小: 51.38 KB)
PDFBAS20HT1數據表 封面
BAS20HT1數據表 頁面 2 BAS20HT1數據表 頁面 3

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BAS20HT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)200mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 200mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 200V
電容@ Vr,F5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-76, SOD-323
供應商設備包裝SOD-323
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

500pA @ 75V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-79, SOD-523

供應商設備包裝

SOD-523

工作溫度-結點

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SK34BHM4G

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Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

-55°C ~ 125°C

20ETS08FP

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 20A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 20A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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45V

電流-平均整流(Io)

10A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

570mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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