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BAS21AHT1G

BAS21AHT1G

僅供參考

型號 BAS21AHT1G
PNEDA編號 BAS21AHT1G
描述 DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 221,670
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS21AHT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS21AHT1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BAS21AHT1G, BAS21AHT1G數據表 (總頁數: 4, 大小: 110.99 KB)
PDFNSVBAS21AHT1G數據表 封面
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BAS21AHT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)250V
電流-平均整流(Io)200mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 200mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr40nA @ 200V
電容@ Vr,F5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-76, SOD-323
供應商設備包裝SOD-323
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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30V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

45pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

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Standard

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100V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

Leaded Button

工作溫度-結點

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

690mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 50V

電容@ Vr,F

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