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BAS21GWJ

BAS21GWJ

僅供參考

型號 BAS21GWJ
PNEDA編號 BAS21GWJ
描述 DIODE GEN PURP 200V 225MA SOD123
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 7,938
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS21GWJ資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS21GWJ
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BAS21GWJ, BAS21GWJ數據表 (總頁數: 11, 大小: 201.84 KB)
PDFBAS21GWX數據表 封面
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BAS21GWJ規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)225mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 200mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 200V
電容@ Vr,F2pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123
供應商設備包裝SOD-123
工作溫度-結點150°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

2.1A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.2µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

37pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

電容@ Vr,F

300pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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170V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 170V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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