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BAS286-GS18

BAS286-GS18

僅供參考

型號 BAS286-GS18
PNEDA編號 BAS286-GS18
描述 DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,272
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS286-GS18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS286-GS18
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BAS286-GS18, BAS286-GS18數據表 (總頁數: 4, 大小: 100.75 KB)
PDFBAS286-GS18數據表 封面
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BAS286-GS18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 40V
電容@ Vr,F8pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-80 Variant
供應商設備包裝SOD-80 QuadroMELF
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 30V

電容@ Vr,F

40pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

PowerDI™ 323

供應商設備包裝

PowerDI™ 323

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

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90V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

770mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

S1FLD-GS18

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

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200V

電流-平均整流(Io)

700mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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