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BAS3010B03WE6327HTSA1

BAS3010B03WE6327HTSA1

僅供參考

型號 BAS3010B03WE6327HTSA1
PNEDA編號 BAS3010B03WE6327HTSA1
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323-2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 108,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS3010B03WE6327HTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS3010B03WE6327HTSA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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BAS3010B03WE6327HTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果550mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr20µA @ 30V
電容@ Vr,F40pF @ 5V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-76, SOD-323
供應商設備包裝PG-SOD323-2
工作溫度-結點-65°C ~ 125°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 7.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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500V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 500V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

40pF @ 0V, 1MHz

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1.05V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

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