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BAS85 L0G

BAS85 L0G

僅供參考

型號 BAS85 L0G
PNEDA編號 BAS85-L0G
描述 DIODE SCHTKY 30V 200MA MINI MELF
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 7,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS85 L0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS85 L0G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BAS85 L0G, BAS85 L0G數據表 (總頁數: 4, 大小: 143.9 KB)
PDFBAS85 L0G數據表 封面
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BAS85 L0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果800mV @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)5ns
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 25V
電容@ Vr,F10pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應商設備包裝Mini MELF
工作溫度-結點125°C (Max)

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

3ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 75V

電容@ Vr,F

1.2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 40V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

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