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BAS85-M-18

BAS85-M-18

僅供參考

型號 BAS85-M-18
PNEDA編號 BAS85-M-18
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 7,704
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
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BAS85-M-18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS85-M-18
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BAS85-M-18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果800mV @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 25V
電容@ Vr,F10pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應商設備包裝SOD-80 MiniMELF
工作溫度-結點125°C (Max)

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1.8V @ 2A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 1200V

電容@ Vr,F

260pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 40V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Surface Mount

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

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當前-反向泄漏@ Vr

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