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BAS86-M-08

BAS86-M-08

僅供參考

型號 BAS86-M-08
PNEDA編號 BAS86-M-08
描述 DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,556
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS86-M-08資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS86-M-08
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BAS86-M-08規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)5ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 40V
電容@ Vr,F8pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應商設備包裝SOD-80 MiniMELF
工作溫度-結點125°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

18A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 18A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2.5mA @ 35V

電容@ Vr,F

1400pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

710mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3.5µA @ 100V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 800V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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