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BAV100-GS08

BAV100-GS08

僅供參考

型號 BAV100-GS08
PNEDA編號 BAV100-GS08
描述 DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 130,812
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAV100-GS08資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAV100-GS08
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BAV100-GS08, BAV100-GS08數據表 (總頁數: 4, 大小: 83.8 KB)
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BAV100-GS08規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)250mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 100mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 50V
電容@ Vr,F1.5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應商設備包裝SOD-80 MiniMELF
工作溫度-結點175°C (Max)

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 25V

電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

820mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 120V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

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