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BAV103 L1G

BAV103 L1G

僅供參考

型號 BAV103 L1G
PNEDA編號 BAV103-L1G
描述 DIODE GP 250V 200MA MINIMELF
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 4,320
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAV103 L1G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAV103 L1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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BAV103 L1G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)250V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 200V
電容@ Vr,F4pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應商設備包裝Mini MELF
工作溫度-結點-65°C ~ 200°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

680mV @ 10mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

電容@ Vr,F

2.5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-213AA

供應商設備包裝

DO-213AA

工作溫度-結點

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

16pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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