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BAV19-TR

BAV19-TR

僅供參考

型號 BAV19-TR
PNEDA編號 BAV19-TR
描述 DIODE GEN PURP 100V 250MA DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 321,828
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAV19-TR資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAV19-TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BAV19-TR, BAV19-TR數據表 (總頁數: 4, 大小: 82.38 KB)
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BAV19-TR規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)250mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 100mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 100V
電容@ Vr,F1.5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35
工作溫度-結點175°C (Max)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

570mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 60V

電容@ Vr,F

360pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 30V

電容@ Vr,F

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Taiwan Semiconductor Corporation

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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電流-平均整流(Io)

700A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.65V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1600V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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5µs

當前-反向泄漏@ Vr

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