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BAV303-TR

BAV303-TR

僅供參考

型號 BAV303-TR
PNEDA編號 BAV303-TR
描述 DIODE GP 200V 250MA MICROMELF
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,662
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAV303-TR資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAV303-TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BAV303-TR, BAV303-TR數據表 (總頁數: 5, 大小: 89.41 KB)
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BAV303-TR規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)250mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 100mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 200V
電容@ Vr,F1.5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱2-SMD, No Lead
供應商設備包裝MicroMELF
工作溫度-結點175°C (Max)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

17pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

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1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

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25nA @ 125V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.51V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1.1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

400ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 2500V

電容@ Vr,F

3pF @ 4V, 1MHz

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