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BC337-25 A1G

BC337-25 A1G

僅供參考

型號 BC337-25 A1G
PNEDA編號 BC337-25-A1G
描述 TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.8A, 160A
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 5,850
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC337-25 A1G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC337-25 A1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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BC337-25 A1G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)800mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce160 @ 100mA, 5V
功率-最大625mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

960mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 80mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 85mA, 100mV

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