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BC558BZL1G

BC558BZL1G

僅供參考

型號 BC558BZL1G
PNEDA編號 BC558BZL1G
描述 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,280
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC558BZL1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC558BZL1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BC558BZL1G, BC558BZL1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 81.64 KB)
PDFBC557BZL1G數據表 封面
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BC558BZL1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 2mA, 5V
功率-最大625mW
頻率-過渡360MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 500mA, 5V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

370mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 100mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

280MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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制造商

Micro Commercial Co

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 2.5A, 5V

功率-最大

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