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BC636TF

BC636TF

僅供參考

型號 BC636TF
PNEDA編號 BC636TF
描述 TRANS PNP 45V 1A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,362
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 4 - 五月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC636TF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC636TF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BC636TF, BC636TF數據表 (總頁數: 7, 大小: 292.61 KB)
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BC636TF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 150mA, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 8mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 2A, 4V

功率-最大

1.75W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 50mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 500mA, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

40MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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