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BC847BDW1T3G

BC847BDW1T3G

僅供參考

型號 BC847BDW1T3G
PNEDA編號 BC847BDW1T3G
描述 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 75,240
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 17 - 三月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC847BDW1T3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC847BDW1T3G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
BC847BDW1T3G, BC847BDW1T3G數據表 (總頁數: 13, 大小: 177.52 KB)
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BC847BDW1T3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 5V
功率-最大380mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88/SC70-6/SOT-363

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 10mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 5A, 4V

功率-最大

5W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 100µA, 5V

功率-最大

150mW

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300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 3mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 1.5A, 4V

功率-最大

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頻率-過渡

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