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BC847BLT1G

BC847BLT1G

僅供參考

型號 BC847BLT1G
PNEDA編號 BC847BLT1G
描述 TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,168,952
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 23 - 四月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC847BLT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC847BLT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BC847BLT1G, BC847BLT1G數據表 (總頁數: 14, 大小: 228.2 KB)
PDFBC848CLT1數據表 封面
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BC847BLT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 5V
功率-最大300mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

140V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 50mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 3A, 4V

功率-最大

1.56W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

30W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

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75V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 1A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 2A, 5V

功率-最大

140W

頻率-過渡

-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

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32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 3V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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