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BC847BPDW1T3G

BC847BPDW1T3G

僅供參考

型號 BC847BPDW1T3G
PNEDA編號 BC847BPDW1T3G
描述 TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SC88
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 226,326
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC847BPDW1T3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC847BPDW1T3G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
BC847BPDW1T3G, BC847BPDW1T3G數據表 (總頁數: 19, 大小: 208.39 KB)
PDFSBC847BPDW1T3G數據表 封面
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BC847BPDW1T3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 5V
功率-最大380mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88/SC70-6/SOT-363

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

36V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

500mW

頻率-過渡

190MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA, 100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V, 50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA / 300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V / 160 @ 2mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

200MHz, 80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

150MHz

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

功率-最大

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