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BC848B-13-F

BC848B-13-F

僅供參考

型號 BC848B-13-F
PNEDA編號 BC848B-13-F
描述 TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,346
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 27 - 三月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC848B-13-F資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC848B-13-F
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BC848B-13-F, BC848B-13-F數據表 (總頁數: 7, 大小: 299.12 KB)
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BC848B-13-F規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce450 @ 2mA, 5V
功率-最大310mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

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包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 1A, 2V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

75MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

320MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 2mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

3000 @ 1A, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

160MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

75V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 500mA, 4V

功率-最大

10W

頻率-過渡

-

工作溫度

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