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BC848BHZGT116

BC848BHZGT116

僅供參考

型號 BC848BHZGT116
PNEDA編號 BC848BHZGT116
描述 NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,046
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC848BHZGT116資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC848BHZGT116
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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BC848BHZGT116規格

制造商Rohm Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 5V
功率-最大200mW
頻率-過渡200MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SST3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 20mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

240mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

130 @ 1A, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 2A, 2V

功率-最大

1W

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

20µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1A, 2V

功率-最大

2W

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