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BC857CQ-7-F

BC857CQ-7-F

僅供參考

型號 BC857CQ-7-F
PNEDA編號 BC857CQ-7-F
描述 GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,174
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC857CQ-7-F資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC857CQ-7-F
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
BC857CQ-7-F, BC857CQ-7-F數據表 (總頁數: 7, 大小: 423.86 KB)
PDFBC857CQ-7-F數據表 封面
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BC857CQ-7-F規格

制造商Diodes Incorporated
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 1mA, 5V

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 6V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

-

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