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BC858C RFG

BC858C RFG

僅供參考

型號 BC858C RFG
PNEDA編號 BC858C-RFG
描述 TRANSISTOR, PNP, -30V, -0.1A, 42
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 2,538
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC858C RFG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC858C RFG
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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BC858C RFG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce420 @ 2mA, 5V
功率-最大200mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100mA, 1V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

170MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1mA, 6V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

功率-最大

225mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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