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BC859CW,135

BC859CW,135

僅供參考

型號 BC859CW,135
PNEDA編號 BC859CW-135
描述 TRANS PNP 30V 0.1A SOT323
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 6,174
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 27 - 三月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC859CW資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC859CW,135
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BC859CW, BC859CW數據表 (總頁數: 8, 大小: 325.52 KB)
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BC859CW規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce420 @ 2mA, 5V
功率-最大200mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SC-70

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300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 10V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

165mV @ 30mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 1mA, 10V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

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250 @ 100mA, 1V

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