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BCM856DS,115

BCM856DS,115

僅供參考

型號 BCM856DS,115
PNEDA編號 BCM856DS-115
描述 TRANS 2PNP 65V 0.1A 6TSOP
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 45,594
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCM856DS資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCM856DS,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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BCM856DS規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual) Matched Pair
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)65V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 5V
功率-最大380mW
頻率-過渡175MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝6-TSOP

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Nexperia USA Inc.

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

4 PNP (Quad)

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

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制造商

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 1mA, 5V

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晶體管類型

4 NPN (Quad)

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

1W

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300MHz

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Surface Mount

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1.75A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.28V @ 2mA, 1.75A

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5000 @ 500mA, 5V / 2000 @ 500mA, 5V

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