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BCM857DS,115

BCM857DS,115

僅供參考

型號 BCM857DS,115
PNEDA編號 BCM857DS-115
描述 TRANS 2PNP 45V 0.1A 6TSOP
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 86,430
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCM857DS資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCM857DS,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
BCM857DS, BCM857DS數據表 (總頁數: 16, 大小: 233.13 KB)
PDFBCM857BS數據表 封面
BCM857BS數據表 頁面 2 BCM857BS數據表 頁面 3 BCM857BS數據表 頁面 4 BCM857BS數據表 頁面 5 BCM857BS數據表 頁面 6 BCM857BS數據表 頁面 7 BCM857BS數據表 頁面 8 BCM857BS數據表 頁面 9 BCM857BS數據表 頁面 10 BCM857BS數據表 頁面 11

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BCM857DS規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual) Matched Pair
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 5V
功率-最大380mW
頻率-過渡175MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝6-TSOP

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 150mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

160MHz, 130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 1V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

500MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN, PNP (Emitter Coupled)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1mA, 15V

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Nexperia USA Inc.

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

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100MHz

工作溫度

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