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BCP55E6327HTSA1

BCP55E6327HTSA1

僅供參考

型號 BCP55E6327HTSA1
PNEDA編號 BCP55E6327HTSA1
描述 TRANS NPN 60V 1A SOT-223
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,586
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 28 - 三月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCP55E6327HTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCP55E6327HTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BCP55E6327HTSA1, BCP55E6327HTSA1數據表 (總頁數: 7, 大小: 821.95 KB)
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BCP55E6327HTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 150mA, 2V
功率-最大2W
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝PG-SOT223-4

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 2mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

1.6GHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-85

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

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ON Semiconductor

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 500mA, 5V

功率-最大

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3MHz

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當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 2mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 1mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

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100 @ 150mA, 1V

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