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BCR 148T E6327

BCR 148T E6327

僅供參考

型號 BCR 148T E6327
PNEDA編號 BCR-148T-E6327
描述 TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,086
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCR 148T E6327資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCR 148T E6327
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

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BCR 148T E6327規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)70mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)47 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡100MHz
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝PG-SC-75

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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50V

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22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 5V

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