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BCR 191T E6327

BCR 191T E6327

僅供參考

型號 BCR 191T E6327
PNEDA編號 BCR-191T-E6327
描述 TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,618
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCR 191T E6327資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCR 191T E6327
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
BCR 191T E6327, BCR 191T E6327數據表 (總頁數: 15, 大小: 265.49 KB)
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  • BCR 191T E6327 Distributor

BCR 191T E6327規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)22 kOhms
電阻-發射極基(R2)22 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡200MHz
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝PG-SC-75

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電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 300mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.15V @ 8mA, 800mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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