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BCR08PNE6433HTMA1

BCR08PNE6433HTMA1

僅供參考

型號 BCR08PNE6433HTMA1
PNEDA編號 BCR08PNE6433HTMA1
描述 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,434
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 5 - 五月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCR08PNE6433HTMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCR08PNE6433HTMA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
BCR08PNE6433HTMA1, BCR08PNE6433HTMA1數據表 (總頁數: 7, 大小: 527.78 KB)
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BCR08PNE6433HTMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡170MHz
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝PG-SOT363-6

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1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 15V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

2.2kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

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2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms, 10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms, 10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

270mW

安裝類型

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包裝/箱

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz

功率-最大

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