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BCR08PNH6327XTSA1

BCR08PNH6327XTSA1

僅供參考

型號 BCR08PNH6327XTSA1
PNEDA編號 BCR08PNH6327XTSA1
描述 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCR08PNH6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCR08PNH6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
BCR08PNH6327XTSA1, BCR08PNH6327XTSA1數據表 (總頁數: 7, 大小: 527.78 KB)
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BCR08PNH6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡170MHz
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝PG-SOT363-6

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電阻-基本(R1)

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電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

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Surface Mount

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 2.5mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

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