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BCR116E6433HTMA1

BCR116E6433HTMA1

僅供參考

型號 BCR116E6433HTMA1
PNEDA編號 BCR116E6433HTMA1
描述 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,706
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 18 - 三月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCR116E6433HTMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCR116E6433HTMA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
BCR116E6433HTMA1, BCR116E6433HTMA1數據表 (總頁數: 11, 大小: 867.81 KB)
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BCR116E6433HTMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡150MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

50mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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