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BCR119WE6327HTSA1

BCR119WE6327HTSA1

僅供參考

型號 BCR119WE6327HTSA1
PNEDA編號 BCR119WE6327HTSA1
描述 TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,634
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCR119WE6327HTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCR119WE6327HTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
BCR119WE6327HTSA1, BCR119WE6327HTSA1數據表 (總頁數: 12, 大小: 253.03 KB)
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  • BCR119WE6327HTSA1 Distributor

BCR119WE6327HTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7 kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡150MHz
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝PG-SOT323-3

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電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

115 @ 100mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 250µA, 5mA

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NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

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功率-最大

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電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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