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BCW60B

BCW60B

僅供參考

型號 BCW60B
PNEDA編號 BCW60B
描述 TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 63,907
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCW60B資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCW60B
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BCW60B, BCW60B數據表 (總頁數: 4, 大小: 76.33 KB)
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BCW60B規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)32V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic550mV @ 1.25mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)20nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 2mA, 5V
功率-最大350mW
頻率-過渡125MHz
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

280mV @ 50mA, 4.5A

當前-集電極截止(最大值)

25nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 3A, 2V

功率-最大

3W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

395mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1A, 2V

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1W

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 300mA, 10V

功率-最大

2W

頻率-過渡

10MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 2V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

290MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 1V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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