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BCW65CLT1

BCW65CLT1

僅供參考

型號 BCW65CLT1
PNEDA編號 BCW65CLT1
描述 TRANS NPN 32V 0.8A SOT-23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,028
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 21 - 三月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCW65CLT1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCW65CLT1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BCW65CLT1, BCW65CLT1數據表 (總頁數: 3, 大小: 45.99 KB)
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BCW65CLT1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)800mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)32V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)20nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce250 @ 100mA, 1V
功率-最大225mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

600 @ 2mA, 10V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 1V

功率-最大

150mW

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250MHz

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

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20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 500mA, 2V

功率-最大

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工作溫度

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