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BCW66KHB6327HTLA1

BCW66KHB6327HTLA1

僅供參考

型號 BCW66KHB6327HTLA1
PNEDA編號 BCW66KHB6327HTLA1
描述 TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,586
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCW66KHB6327HTLA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCW66KHB6327HTLA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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BCW66KHB6327HTLA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)800mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic450mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)20nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce250 @ 100mA, 1V
功率-最大500mW
頻率-過渡170MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 50mA, 1V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 500mA, 2V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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