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BD159STU

BD159STU

僅供參考

型號 BD159STU
PNEDA編號 BD159STU
描述 TRANS NPN 350V 0.5A TO-126
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 18,480
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 11 - 四月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BD159STU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BD159STU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BD159STU, BD159STU數據表 (總頁數: 4, 大小: 38.53 KB)
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BD159STU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)350V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)100µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 50mA, 10V
功率-最大20W
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-126-3

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

225mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

320mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

175 @ 1A, 2V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

165MHz

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

350V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 20mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 2A, 2V

功率-最大

45W

頻率-過渡

90MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

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工作溫度

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