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BD244CTU

BD244CTU

僅供參考

型號 BD244CTU
PNEDA編號 BD244CTU
描述 TRANS PNP 100V 6A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 10,032
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 17 - 三月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BD244CTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BD244CTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BD244CTU, BD244CTU數據表 (總頁數: 6, 大小: 97.79 KB)
PDFBD244B數據表 封面
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BD244CTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)6A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 1A, 6A
當前-集電極截止(最大值)700µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce15 @ 3A, 4V
功率-最大65W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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ON Semiconductor

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 50mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 5V

功率-最大

1W

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 1A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

35nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 300mA, 2V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 1mA, 6V

功率-最大

430mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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