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BD3776STU

BD3776STU

僅供參考

型號 BD3776STU
PNEDA編號 BD3776STU
描述 TRANS NPN 60V 2A TO-126
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,030
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 2 - 四月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BD3776STU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BD3776STU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BD3776STU, BD3776STU數據表 (總頁數: 4, 大小: 42.77 KB)
PDFBD3796STU數據表 封面
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BD3776STU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)2µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 150mA, 2V
功率-最大25W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-126-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.8V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

4000 @ 1A, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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工作溫度

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120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 3A, 4V

功率-最大

30W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 6A, 30A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 15A, 4V

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 8mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 1A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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