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BD435STU

BD435STU

僅供參考

型號 BD435STU
PNEDA編號 BD435STU
描述 TRANS NPN 32V 4A TO-126
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,700
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 9 - 三月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BD435STU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BD435STU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BD435STU, BD435STU數據表 (總頁數: 7, 大小: 240.08 KB)
PDFBD437S數據表 封面
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BD435STU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)32V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 10mA, 5V
功率-最大36W
頻率-過渡3MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-126-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

340mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 2V

功率-最大

3W

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

260 @ 2mA, 5V

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 30mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 1.5A, 3V

功率-最大

40W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

供應商設備包裝

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 10mA, 10V

功率-最大

300mW

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