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BD534J

BD534J

僅供參考

型號 BD534J
PNEDA編號 BD534J
描述 TRANS PNP 45V 8A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,346
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BD534J資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BD534J
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BD534J, BD534J數據表 (總頁數: 4, 大小: 38.66 KB)
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BD534J規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic800mV @ 600mA, 6A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 2A, 2V
功率-最大50W
頻率-過渡12MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

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300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 100mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

130 @ 500mA, 3V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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150°C (TJ)

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 2.5A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

4 @ 10A, 4V

功率-最大

3W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-218-3

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制造商

STMicroelectronics

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 500mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 500mA, 2V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 1mA, 6V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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