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BD649-S

BD649-S

僅供參考

型號 BD649-S
PNEDA編號 BD649-S
描述 TRANS NPN DARL 100V 8A TO220
制造商 Bourns
單價 請求報價
庫存 6,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BD649-S資源

品牌 Bourns
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BD649-S
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BD649-S, BD649-S數據表 (總頁數: 4, 大小: 674.43 KB)
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BD649-S規格

制造商Bourns Inc.
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.5V @ 50mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)500µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce750 @ 3A, 3V
功率-最大2W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220

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100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.8V @ 2.5A, 25A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10A, 2V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20mA, 10V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 10mA, 5V

功率-最大

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