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BD681STU

BD681STU

僅供參考

型號 BD681STU
PNEDA編號 BD681STU
描述 TRANS NPN DARL 100V 4A TO-126
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,060
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BD681STU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BD681STU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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BD681STU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.5V @ 30mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)500µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce750 @ 1.5A, 3V
功率-最大40W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-126-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 800mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

7 @ 2.5A, 2V

功率-最大

50W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

175mV @ 350mA, 3.5A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 2V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

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工作溫度

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 50mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

75MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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1A

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 500mA, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 150mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

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