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BD682G

BD682G

僅供參考

型號 BD682G
PNEDA編號 BD682G
描述 TRANS PNP DARL 100V 4A TO225AA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 29,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 13 - 四月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BD682G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BD682G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BD682G, BD682G數據表 (總頁數: 5, 大小: 138.28 KB)
PDFBD680數據表 封面
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BD682G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.5V @ 30mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)500µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce750 @ 1.5A, 3V
功率-最大40W
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-225AA

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

-

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

140V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

360mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

20nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 5V

功率-最大

3W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 25mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 100mA, 2V

功率-最大

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